株洲科能：深耕化合物半导体材料 实现技术跟跑到领跑

中证报中证网讯（记者 万宇）5月11日，株洲科能披露招股说明书，公司深耕化合物半导体材料，实现从技术跟跑到行业领跑的跨越，并以二十余年专注高纯材料的深厚积累，通过技术创新、生态协同以及产业化应用，推动产业链上下游协同发展。

株洲科能主要立足Ⅲ-Ⅴ族元素，以提纯和化合技术为支撑，开发满足化合物半导体以及ITO、IGZO靶材等电子信息材料所需的核心关键基础材料，业已开发形成了高纯铟、镓、碲、锌、镉、砷、锑、碳、铝等化合物半导体合成所需的多种核心关键基础材料体系，发展成为化合物半导体材料提供商，为国内半导体产业研发与生产提供核心材料支撑。公司亦是领先的ITO、IGZO等靶材用精铟提供商，占据市场主导地位，基本覆盖主要的ITO、IGZO靶材生产厂商。

在核心高纯材料领域，株洲科能自主攻克深度脱除与定向提纯技术，实现了化合物半导体高端材料的进口替代。在MBE（分子束外延）级超高纯材料领域，公司成功突破8N级高纯铟、镓量产工艺技术和装备壁垒。依托多元素电子信息材料通用型研发平台，株洲科能还相继开发出碲、锌、镉等衬底外延所需材料，高纯铁等半绝缘衬底补偿掺杂关键元素，以及高纯锰等先进制程芯片所需材料，构建起完整的超高纯稀散金属材料供给体系。 EBC交易平台

在氧化物与前沿新材料赛道，公司率先开发空气氧化与水氧化绿色合成技术，实现氧化铋、氧化镓等高效生产；掌握氧化镓单晶生长技术，成为支撑第四代半导体材料供给的少数供应商之一。

近期，株洲科能主要负责人作为8家新材料领域中小企业代表之一，应邀出席工信部第十四次中小企业圆桌会，就相关领域的新材料研发、中试验证、产业化应用等建言献策。